碳化硅陶瓷零件及加工


产品概述

碳化硅陶瓷是以碳化硅(SiC)为基础的共价键结合型先进陶瓷,也是性能最为优异的高温结构陶瓷之一。其强韧的Si–C键赋予材料卓越的硬度、高温强度、高导热性、优异的耐腐蚀性能以及较低的密度。经合理选材,该材料可在约1400~1600℃的高温下保持可观的力学性能。由于其密度仅为所列钢材的约40%,该材料广泛应用于航空航天、核能、半导体设备、精密机械以及各类承受高温、高速、腐蚀或磨损工况的新能源系统中。

凌宇供应反应结合型RB-SiC、无压烧结SSiC陶瓷、再结晶RSiC以及热压HPSiC。反应结合材料通常也被称作渗硅SiSiC陶瓷。我们可根据客户提供的图纸定制碳化硅陶瓷零部件,并依据几何形状、公差要求、工作环境及服役条件,合理选用牌号、成形工艺、烧结路线以及金刚石加工工艺。

类别:

陶瓷材料

关键词:

凌宇精密陶瓷

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关键性能优势

卓越的硬度与耐磨性
碳化硅的莫氏硬度可达9.2–9.5,维氏硬度约为HV 2,200–2,800。据相关资料对比,在所列工况下,其硬度高于氧化铝,耐磨性约为高锰钢的10–20倍。因此,在磨料流、颗粒冲蚀以及重载滑动等工况下,碳化硅能够有效保持尺寸稳定性。
高温机械强度
在约1400℃以下,适宜的碳化硅牌号能够保持较高的抗弯强度,并表现出优异的抗蠕变性能。据文献报道,其高温抗弯强度范围为350~550 MPa,可满足严苛的炉窑、换热器、涡轮机及发动机等应用需求。其允许的工作温度与载荷条件则强烈依赖于材料牌号、环境气氛、应力状态以及作用时间等因素。
高导热性和抗热震性
典型的热导率范围约为80至200 W/m·K,而热膨胀系数则相对较低,约为4.0–4.5×10⁻⁶/°C。这种特性既可实现快速传热,又能有效抑制热应变,因而有利于高温换热器、晶圆搬运设备以及其他需承受快速温度变化的部件。
耐化学性和耐腐蚀性
碳化硅陶瓷在多种强酸、强碱、氧化剂、盐溶液及熔融金属中均具有良好的化学稳定性,但遇强碱、氟化物及其他特定介质时仍可能发生高温腐蚀。与许多钢及合金相比,它在化工泵、阀门、密封件以及工艺设备等领域表现出卓越的服役性能。针对具体介质与温度条件,开展相容性测试仍是不可或缺的。
低密度与高比强度
碳化硅的密度接近3.1–3.2 g/cm³,约为所列钢材密度的40%,约为钛合金密度的70%。其优异的强度-重量比可在高速或对质量敏感的组件中有效降低惯性、离心载荷并减少能量消耗。

 

主要产品范围

密封件与磨损部件
机械密封环、轴套、柱塞、喷嘴、旋风分离器内衬以及烟气脱硫喷嘴均利用该材料的高硬度、优异的抗冲刷性能和耐腐蚀性能。SSiC陶瓷与SiSiC陶瓷的牌号选择,需综合考虑介质化学特性、工作温度、几何形状及成本等因素。
窑具与换热器
辊道、横梁、窑车托板、烧嘴套管、辐射管以及换热器管束兼具高温强度、优良的导热性能和优异的抗热震性。其应用领域涵盖电池材料烧结、陶瓷烧成、钢材热处理以及工业余热回收等。
半导体与精密零部件
晶圆承载器、陶瓷卡盘、精密导轨、直线轴承部件以及镜面基板均具有高刚度、高热导率、低热膨胀系数和优异的尺寸稳定性。最终的纯度、表面粗糙度、平面度及污染物控制要求应根据半导体或光学工艺的具体需求予以确定。
研磨介质与防护陶瓷
碳化硅球、研磨筒及防护陶瓷板具有高硬度、低磨损和相对较低的密度,广泛应用于精细研磨、粉体加工以及工程防护系统等领域,其适用性由整体设计与性能验证要求共同决定。

 

典型技术性能

属性 反应结合型RB-SiC/SiSiC 无压烧结碳化硅 重结晶的RSiC
碳化硅含量 ≥85%≥98%≥99%
密度(g/cm³) 3.0–3.1 3.1–3.2 2.6–2.8
莫氏硬度 9 9.2–9.5 9
抗弯强度(MPa) 300–400 400–550 150–250
抗压强度(MPa) 1,500–2,000 2,000–2,800 800–1,200
最高使用温度(℃) 1,380 1,600 1,650
热膨胀系数(10⁻⁶/°C) 4.0–4.5 4.0–4.5 4.5–5.0
导热系数(W/m·K) 100–150 120–200 30–60
体积电阻率(Ω·cm) 10¹²–10¹³ 10¹²–10¹³ 10¹²–10¹³

*上述数值为典型值。实际性能可能因牌号、游离硅含量、孔隙率、几何形状、制备工艺、气氛及测试方法的不同而有所差异。

申请定制审核 请提供您的图纸、使用温度、化学介质、目标牌号、公差及数量,以便对比SSiC陶瓷与SiSiC陶瓷在您的碳化硅陶瓷部件中的应用。

产品示例与图片说明

碳化硅衬套/套筒

碳化硅衬套/套筒

碳化硅 | 碳化硅/氮化硅碳化物

耐磨 同轴配合 低摩擦表面

碳化硅管/圆柱形部件

碳化硅管/圆柱形部件

碳化硅 | 碳化硅/氮化硅碳化物

圆柱度 气密性 媒体阻力

碳化硅密封环/结构环

碳化硅密封环/结构环

碳化硅 | 碳化硅/氮化硅碳化物

面对平坦 耐磨性 热稳定性

碳化硅板材

碳化硅板材

碳化硅/氮化硅碳化物 | 碳化硅

平整度 承载能力 耐侵蚀性

碳化硅圆盘/阀板

碳化硅圆盘/阀板

碳化硅 | 碳化硅/氮化硅碳化物

轮廓精度 媒体阻力 尺寸稳定性

复杂碳化硅结构件

复杂碳化硅结构件

碳化硅/氮化硅碳化物 | 碳化硅

Near-net-shape 低收缩 复杂的流道/孔隙系统

常见问题解答(FAQ)

哪种更好:SSiC 还是 SiSiC/RBSiC?

目前尚无定论。在需要高致密度、气密性、优异的耐腐蚀性能以及高温稳定性的应用中,通常更倾向于选用SSiC;而SiSiC/RBSiC则在低收缩率、近净成形以及可制造复杂大型构件等方面具有优势。具体选型应综合考虑工况条件、尺寸规格、结构要求及成本等因素。

这两种工艺在结构和性能方面的主要差异是什么?

SSiC依靠高温烧结实现致密化,通常不含连续的游离硅相;而SiSiC/RBSiC则是通过熔融硅的渗透及其与碳的反应形成结构,因此成品中会保留一定量的游离硅。这种差异会影响材料的收缩率、复杂形状的成形能力、耐腐蚀性、高温性能以及表面粗糙度的极限。

哪种方法更适用于机械密封环?

在面临严苛的腐蚀性、气密性以及高端密封面稳定性要求时,通常会优先评估SSiC;而SiSiC/RBSiC是否适用,则需根据介质对游离硅的影响、工作压力条件、配对材料、干运转情况以及允许泄漏量等因素进行验证。

为什么SiSiC/RBSiC中的游离硅很重要?

游离硅有助于材料致密化,有利于实现低收缩率并支持复杂的近净成形设计,但同时也可能改变材料在高温、化学、电气及机械加工等方面的性能。在选用牌号时,应结合实际工况介质、温度与载荷,综合考虑该牌号的游离硅含量范围。

碳化硅的最高使用温度是多少?

单一数值无法适用于两种生产工艺。其上限取决于游离硅含量、烧结助剂、气氛、装炉量、保温时间、热循环、制件尺寸以及可接受的性能衰减程度;应根据具体牌号和完整的升温/降温曲线进行评估。

碳化硅是否耐所有酸和碱?

否。SiC和SiSiC/RBSiC在多种工业介质中均表现出良好的稳定性,但游离硅、晶界相、浓度、温度、流速、颗粒以及杂质等因素均可能影响试验结果。腐蚀结论必须结合实际介质条件加以判定。

碳化硅是否固有地具有固定的电阻率?

否。电阻率会因纯度、掺杂程度、烧结助剂、游离硅、晶界以及温度等因素而发生显著变化。当应用涉及电导率、静电控制、加热或与绝缘部件相邻时,应针对具体牌号和工作温度进行测量。

对于复杂、大型且壁薄的零件,应优先采用哪种工艺方案?

通常,首先会评估SiSiC/RBSiC——其收缩率较低且具有更强的近净成形能力;然而,仍需对封闭空腔、硅扩散通道、壁厚的突变、游离硅界面、变形以及烧结后的机加工等问题进行仔细考察。若工况更侧重于致密的耐腐蚀性能或高温稳定性,则应重新考虑选用SSiC。

如果材料路线未知,我可以直接提交图纸以获取报价吗?

是的。请同时提供该零件的功能、当前所用材料、失效现象、工作介质、使用温度、承受载荷、摩擦与密封工况、关键尺寸、表面粗糙度、数量以及验收要求。这样,凌宇便可对该零件的材料选型及可制造性进行初步评估。

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